دانلود کتاب Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications (Topics in Applied Physics, 131)
| عنوان فارسی | حافظه های ترانزیستور اثر میدانی فروالکتریک گیت: فیزیک دستگاه و کاربردها (موضوعات فیزیک کاربردی، 131) |
|---|---|
| عنوان اصلی | Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications (Topics in Applied Physics, 131) |
| ناشر | Springer |
| نویسنده | Byung-Eun Park (editor), Hiroshi Ishiwara (editor), Masanori Okuyama (editor), Shigeki Sakai (editor), Sung-Min Yoon (editor) |
| ISBN | 9811512116, 9789811512117 |
| سال نشر | 2020 |
| زبان | English |
| تعداد صفحات | 421 |
| فرمت کتاب | pdf - قابل تبدیل به سایر فرمت ها |
| حجم فایل | 24 مگابایت |
* نکته : همۀ کتاب های موجود در وبسایت زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه فارسی موجود نمی باشد.
توضیحات
فهرست مطالب
اطلاعات قبل از خربد
نحوه دریافت کتاب
این کتاب نسخه زبان اصلی است و ترجمه فارسی نیست.بعد از تکمیل فرایند خرید می توانید کتاب را دانلود نمایید. درصورت نیاز به تغییر فرمت کتاب به پشتیبان اطلاع دهید.کتاب های تصادفی